| 一种体接触器件结构及其制造方法 | |
| 梁擎擎; 钟汇才 | |
| 2010-02-09 | |
| 著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明 |
| 英文摘要 | 一种体接触器件结构及其制造方法，本发明是在形成伪栅堆叠后，去除伪栅堆叠的一端以形成开口，伪栅堆叠未去除部分为体引出堆叠，体引出堆叠的体引出层直接和衬底接触；而后在开口内形成替代栅堆叠；而后在体引出堆叠中的体引出层上形成体接触。本发明所述方法形成的体接触器件结构有效减小了寄生效应和器件面积，提高了器件结构的性能。 |
| 状态 | 公开 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/15916]  |
| 专题 | 微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 梁擎擎,钟汇才. 一种体接触器件结构及其制造方法. 2010-02-09. |
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