一种Mo基/TaN金属栅叠层结构的刻蚀方法 | |
李永亮; 徐秋霞 | |
2010-06-30 | |
著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明 |
英文摘要 | 本发明公开了一种Mo基/TaN金属栅叠层结构的刻蚀方法,该方法先在半导体衬底上依次形成界面SiO2层、高K栅介质层、Mo基金属栅、TaN金属栅、硅栅层和硬掩膜层;然后进行光刻和硬掩膜的刻蚀;去胶后,以硬掩膜为掩蔽,通过干法刻蚀工艺对硅栅层进行高选择比的各向异性刻蚀;通过干法刻蚀工艺对TaN金属栅、Mo基金属栅和高K介质进行高选择比的各向异性刻蚀。本发明所提供的Mo基/TaN金属栅叠层结构的刻蚀方法,适于纳米级CMOS器件中高K/金属栅的集成需要,为实现高K/金属栅的集成提供了必要保证。 |
状态 | 公开 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/15904] |
专题 | 微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 李永亮,徐秋霞. 一种Mo基/TaN金属栅叠层结构的刻蚀方法. 2010-06-30. |
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