| 一种插入式TiN金属栅叠层结构的制备和刻蚀方法 | |
| 李永亮; 徐秋霞 | |
| 2010-04-21 | |
| 著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种插入式TiN金属栅叠层结构的制备和刻蚀方法，包括：在半导体衬底上形成界面SiO2层，然后在其上形成高K栅介质层；所述高K栅介质层经过快速热退火处理后，在其上形成TiN金属栅电极层；在所述TiN金属栅电极层上形成硅栅层，并在其上形成硬掩膜层；光刻，通过干法刻蚀工艺对硬掩膜层进行刻蚀；去胶，以硬掩膜层为掩蔽，通过干法刻蚀工艺对硅栅层进行各向异性刻蚀；通过干法刻蚀工艺对TiN金属栅电极层和高K栅介质层进行高选择比各向异性刻蚀。本发明不仅可以满足TiN金属栅以及高K材料在插入式金属栅叠层结构中制备的需要，而且还能通过优化TiN金属栅和高K介质的刻蚀工艺得到陡直的刻蚀剖面，为实现高K/金属栅的集成提供了必要保证。 |
| 状态 | 公开 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/15900]  |
| 专题 | 微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李永亮,徐秋霞. 一种插入式TiN金属栅叠层结构的制备和刻蚀方法. 2010-04-21. |
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