MOSFET及其制造方法 | |
朱慧珑; 许淼; 梁擎擎 | |
2010-12-03 | |
著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明 |
英文摘要 | 本申请公开了一种MOSFET及其制造方法,其中所述MOSFET包括SOI晶片,所述SOI晶片包括底部的半导体衬底、第一氧化物埋层和第一半导体层;源区和漏区,形成在第一半导体层中;沟道区,形成在第一半导体层中,沟道区夹在源区和漏区之间;栅叠层,包括位于第一半导体层上的栅介质层以及栅极导体;其中,所述MOSFET还包括在半导体衬底中形成的位于沟道下方的背栅,背栅具有不均匀掺杂分布,以及第一氧化物埋层作为背栅的栅介质层。该MOSFET可以通过改变背栅中的掺杂类型和/或掺杂分布而实现对阈值电压的调节,并且减小了源区和漏区之间的漏电流。 |
状态 | 公开 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/15701] ![]() |
专题 | 微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 朱慧珑,许淼,梁擎擎. MOSFET及其制造方法. 2010-12-03. |
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