| MOSFET及其制造方法 | |
| 朱慧珑; 许淼; 梁擎擎 | |
| 2010-12-03 | |
| 著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明 |
| 英文摘要 | 本申请公开了一种MOSFET及其制造方法，其中所述MOSFET包括SOI晶片，所述SOI晶片包括底部的半导体衬底、第一氧化物埋层和第一半导体层；源区和漏区，形成在第一半导体层中；沟道区，形成在第一半导体层中，沟道区夹在源区和漏区之间；栅叠层，包括位于第一半导体层上的栅介质层以及栅极导体；其中，所述MOSFET还包括在半导体衬底中形成的位于沟道下方的背栅，背栅具有不均匀掺杂分布，以及第一氧化物埋层作为背栅的栅介质层。该MOSFET可以通过改变背栅中的掺杂类型和/或掺杂分布而实现对阈值电压的调节，并且减小了源区和漏区之间的漏电流。 |
| 状态 | 公开 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/15701]  |
| 专题 | 微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 朱慧珑,许淼,梁擎擎. MOSFET及其制造方法. 2010-12-03. |
| 个性服务 |
| 查看访问统计 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论