半导体器件中金属厚度的量测方法

	半导体器件中金属厚度的量测方法
	杨涛; 赵超; 李俊峰; 闫江; 陈大鹏
	2015-08-05
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN201110156411.6
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明提供了一种半导体器件中金属厚度的量测方法，包括以下步骤：提供具有预定形状和尺寸的测试结构；在CMP后，使用X射线反射设备测量该测试结构中金属的厚度。依照本发明的量测方法，实现了在对金属层CMP后金属层厚度的精确监控，因而能直接判断是否存在金属塞的过研磨问题，进而明确W-Al缓冲CMP是否工艺合格。另外，本发明的实施例中选择的是对金属塞厚度的量测，本领域技术人员也可以根据本发明的精神实质将该监控方法扩展到对于其他半导体器件组成部分的监控。
公开日期	2012-12-12
申请日期	2011-06-11
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://159.226.55.106/handle/172511/15630]
专题	微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	杨涛,赵超,李俊峰,等. 半导体器件中金属厚度的量测方法. CN201110156411.6. 2015-08-05.