高压器件的外延层制造方法 | |
王红丽; 李俊峰 | |
2011-08-16 | |
著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明 |
英文摘要 | 本发明提供了一种高压器件的外延层制造方法,包括:提供衬底;在衬底上形成外延层,外延层具有第一厚度;平坦化外延层;在外延层上形成牺牲层;去除牺牲层,留下的外延层具有第二厚度,第一厚度大于第二厚度。依照本发明的高压器件的外延层制造方法,能有效改善外延层平整度、提升后面诸如光刻工艺的良品率,从而最终提高诸如击穿电压、开启电压的器件参数的均匀性、大大提升了芯片的良品率。 |
状态 | 公开 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/15624] ![]() |
专题 | 微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 王红丽,李俊峰. 高压器件的外延层制造方法. 2011-08-16. |
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