半导体器件及其制造方法 | |
殷华湘![]() ![]() | |
2015-08-05 | |
著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
专利号 | CN201110300828.5 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明专利 |
英文摘要 | 一种半导体器件及其制造方法,采用PECVD在NMOS器件上覆盖一层具有高紫外光吸收系数的氮化硅膜,该氮化硅膜在受激激光表面退火处理时,能很好地吸收紫外光,从而获得良好的去氢效果,并在去氢后,氮化硅膜具有很高的张应力;由于氮化硅膜的紫外光吸收系数高,因此不需要对衬底进行加热,避免了由于需要加热衬底去氢而给器件带来的不良影响,保存了PECVD工艺带来的热预算。 |
公开日期 | 2013-04-10 |
申请日期 | 2011-09-29 |
语种 | 中文 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/15614] ![]() |
专题 | 微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心 |
作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 殷华湘,徐秋霞,陈大鹏. 半导体器件及其制造方法. CN201110300828.5. 2015-08-05. |
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