| 一种选择性去除TaN金属栅电极层的方法 | |
| 李永亮; 徐秋霞 | |
| 2009-09-25 | |
| 著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明专利 |
| 英文摘要 | 本发明涉及一种选择性去除TaN金属栅电极层的方法，属于集成电路制造技术领域。所述方法包括以下步骤：在半导体衬底上形成高K栅介质层；在所述高K栅介质层上形成TaN金属栅电极层，并在其上形成非晶硅硬掩膜；采用干法刻蚀所述非晶硅硬掩膜形成硬掩膜的图形；采用湿法腐蚀对未被所述硬掩膜的图形覆盖的TaN金属栅电极层进行选择性腐蚀；采用湿法腐蚀去除所述硬掩膜的图形。本发明以非晶硅为硬掩膜，采用湿法腐蚀TaN金属栅电极层时，可以实现高选择比的TaN金属栅电极层的去除；另外，采用湿法腐蚀液去除剩余的非晶硅硬掩膜时，对TaN金属栅电极层和高K栅介质层的选择比很高，不存在兼容性问题。 |
| 公开日期 | 2016-03-18 |
| 状态 | 公开 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/14577]  |
| 专题 | 微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李永亮,徐秋霞. 一种选择性去除TaN金属栅电极层的方法. 2009-09-25. |
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