自对准金属硅化物的形成方法

	自对准金属硅化物的形成方法
	罗军; 赵超; 钟汇才
	2014-10-29
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN201010599252.2
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	一种自对准金属硅化物的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅堆叠结构，所述栅堆叠结构两侧的半导体衬底中形成有源区和漏区；在所述半导体衬底上、所述栅堆叠结构的侧壁形成牺牲侧墙；形成金属层，覆盖所述半导体衬底、栅堆叠结构和牺牲侧墙的表面；对所述半导体衬底进行热处理，使所述金属层与所述源区、漏区的半导体衬底以及牺牲侧墙之间发生反应；去除所述牺牲侧墙和未反应的金属层。本发明能够减弱或避免自对准金属硅化物的横向扩散问题，有利于提高器件的性能和可靠性。
公开日期	2012-07-11
申请日期	2010-12-21
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/14537]
专题	微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	罗军,赵超,钟汇才. 自对准金属硅化物的形成方法. CN201010599252.2. 2014-10-29.