Impacts of Back Gate Bias Stressing on Device Characteristics for Extremely Thin SOI (ETSOI) MOSFETs | |
Yan J(闫江)![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() | |
刊名 | IEEE Electron device letters
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2014 | |
公开日期 | 2015-04-24 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/12720] ![]() |
专题 | 微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心 |
通讯作者 | Tang ZY(唐兆云) |
作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | Yan J,Tang ZY,Tang B,et al. Impacts of Back Gate Bias Stressing on Device Characteristics for Extremely Thin SOI (ETSOI) MOSFETs[J]. IEEE Electron device letters,2014. |
APA | Yan J.,Tang ZY.,Tang B.,Zhao LC.,Zhao C.,...&Li JF.(2014).Impacts of Back Gate Bias Stressing on Device Characteristics for Extremely Thin SOI (ETSOI) MOSFETs.IEEE Electron device letters. |
MLA | Yan J,et al."Impacts of Back Gate Bias Stressing on Device Characteristics for Extremely Thin SOI (ETSOI) MOSFETs".IEEE Electron device letters (2014). |
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