半导体器件制造方法

	半导体器件制造方法
	赵超; 陈大鹏; 李俊峰; 钟汇才; 罗军
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN201110425474.7
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明公开了一种半导体器件的制造方法，包括：在衬底上沉积形成任意厚度的金属层；不做任何处理，直接移除衬底上的金属层，在衬底表面留下混合层；以及执行退火，使得混合层转变为金属硅化物层。依照本发明的半导体器件制造方法，利用厚金属层在沉积过程中形成的均匀混合层作为金属源，退火形成了超薄且均匀的金属硅化物，克服了为制备超薄金属硅化物而沉积特定厚度金属层中均匀性差的缺点，有效地提高超小尺寸器件性能。
公开日期	2013-06-19
申请日期	2011-12-16
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/10963]
专题	微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	赵超,陈大鹏,李俊峰,等. 半导体器件制造方法. CN201110425474.7.