制作具有多电极超低电感的多槽PN结电容器的方法

	制作具有多电极超低电感的多槽PN结电容器的方法
	吕壵; 万里兮; 王惠娟
	2011-07-06
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN102117768A
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明公开了一种制作具有多电极超低电感的多槽PN结电容器的方法，通过一系列理论的论证和假设，将原来半导体PN结电容器加以改进，使改进后的电容具有结构简单，电容密度大，寄生参数小，制作工艺简单等特点，特别是可实现串联电感大大降低，这样可使电容工作在更高的频率内。该电容可广泛用于高频高速功率电子系统中的退耦，滤波，匹配，静电和电涌防护等功能。
申请日期	2009-12-30
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://159.226.55.106/handle/172511/15923]
专题	微电子研究所_系统封装与集成研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	吕壵,万里兮,王惠娟. 制作具有多电极超低电感的多槽PN结电容器的方法. CN102117768A. 2011-07-06.