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	一种碳纳米管束垂直互连的制作方法
	潘茂云; 曹立强; 戴风伟; 周静; 刘丰满
	2011-12-15
著作权人	中国科学院微电子研究所
国家	中国
文献子类	发明
英文摘要	本发明揭示了一种硅基板上TSV（through silicon via，硅通孔）中制作垂直的碳纳米管束互连的方法。此方法可以在硅通孔形成前的盲孔中制作垂直的碳纳米管束。此方法包括在硅基板上形成TSV盲孔；制作用于碳纳米管生长的金属催化剂，生长碳纳米管束；碳纳米管束形成后，在碳纳米管束上端形成金属接触，通过再分布层可以与Chip、Device或Die等进行互连。此外，通过背面减薄和反向刻蚀可以曝露出碳纳米管束的另一端，然后进行致密化和形成金属接触，再形成再分布层与硅基板下面的器件进行互连。碳纳米管由于其独特的电学、热学和机械等性能被开发用于制作TSV互连材料，已经被证实，具有金属性的碳纳米管可以传送的电流密度能够达到1010A/cm2，而传统的互连材料金属铜的这个值只有106A/cm2。因此，碳纳米管束填充TSV作为互连不但具有更低的电阻率而且可以避免铜互连电迁移问题。
公开日期	2012-11-20
状态	公开
内容类型	专利
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/9695]
专题	微电子研究所_系统封装与集成研发中心
推荐引用方式 GB/T 7714	潘茂云,曹立强,戴风伟,等. 一种碳纳米管束垂直互连的制作方法. 2011-12-15.

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