| 一种基于欧姆接触的铁电薄膜电容及其制备方法 | |
| 赵宁; 王惠娟 | |
| 2011-04-22 | |
| 著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明 |
| 英文摘要 | 本发明涉及一种基于欧姆接触的铁电薄膜电容及其制备方法。所述电容依次包括下部电极、硅基底、铁电薄膜电介质层和上部电极，其中下部电极与硅基底之间形成欧姆接触，同时在硅基底和铁电薄膜之间还可以结合有导电缓冲层。本发明采用铝-硅欧姆接触作为电容的下部电极，采用铁电薄膜材料作为电容的电介质层，具备较高的电容密度，并便于电极的引出，从而提高了铁电薄膜电容与封装基板制造工艺的兼容性。这种基于欧姆接触的铁电薄膜电容及其制备方法将在三维系统级封装无源器件埋入技术领域具有潜在的应用前景。 |
| 公开日期 | 2012-11-20 |
| 状态 | 公开 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/9655]  |
| 专题 | 微电子研究所_系统封装与集成研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 赵宁,王惠娟. 一种基于欧姆接触的铁电薄膜电容及其制备方法. 2011-04-22. |
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