本发明涉及一种周期叠层铁电薄膜电容及其制备方法，属于微电子材料与器件、系统级封装集成技术领域，该电容的结构依次包含：硅Si衬底、二氧化硅SiO2阻挡层、粘附层、下部电极、铁电薄膜、上部电极，所述的铁电薄膜具有以钛酸钡BaTiO3(BT)、钛酸锶SrTiO3(ST)、钛酸锶钡BaxSr1-xTiO3(BST)三种铁电材料的排列组合为周期结构单元的叠层结构。该制备方法由基片处理，钛酸钡、钛酸锶、钛酸锶钡前驱体溶胶配置，成膜和热处理工艺，以及上电极制备四个部分构成。利用此种方法配制的溶胶溶液性能稳定并可长期存放，制备出来的铁电薄膜成膜性能好，形成的铁电电容具有优异的介电性能，且能与CMOS工艺技术相兼容，适用于新型高密度存储器和集成铁电器件。