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	一种用于等离子体浸没注入中控制注入元素分布陡度的方法
	夏洋; 李超波; 汪明刚
	2011-12-12
著作权人	中国科学院微电子研究所
文献子类	发明
英文摘要	本发明公开了一种用于等离子体浸没注入中控制注入元素分布陡度的方法，通过多能量注入的方式进行离子注入掺杂，所述多能量是在一个能量区间的不同能量，该能量区间存在最低能量与最高能量，所述最低能量是实现掺杂元素注入而不沉积在硅基片表面的最小能量，所述最高能量是满足注入结深的最大注入能量。本发明使得掺杂离子浓度随深度的分布符合高斯分布，且注入元素浓度在PN处分布陡峭。
公开日期	2012-11-20
状态	公开
内容类型	专利
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/10219]
专题	微电子研究所_微电子仪器设备研发中心
推荐引用方式 GB/T 7714	夏洋,李超波,汪明刚. 一种用于等离子体浸没注入中控制注入元素分布陡度的方法. 2011-12-12.

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