| 一种用于离子中性化的网板结构 | |
| 李勇滔; 张庆钊; 席峰; 夏洋; 李楠 | |
| 2011-09-26 | |
| 著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
| 文献子类 | 发明 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种用于离子中性化的网板结构，属于中性离子刻蚀技术领域。所述网板结构包括上网板和中性化网板，中性化网板上设置有多个网孔，中性化网板横截面的上下表面不同区域的厚度分布形式不同。本发明通过改变中性化网板的厚度分布，来调节芯片上方不同区域中性粒子与离子的流量比例，改变中性粒子束的密度分布，从而调节刻蚀结果的均匀性。 |
| 公开日期 | 2012-11-20 |
| 状态 | 公开 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/10139]  |
| 专题 | 微电子研究所_微电子仪器设备研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李勇滔,张庆钊,席峰,等. 一种用于离子中性化的网板结构. 2011-09-26. |
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