一种集成电路缺陷的光学检测方法和装置
陈鲁
2011-09-22
著作权人中国科学院微电子研究所
专利号CN103018202A
国家中国
文献子类发明
英文摘要作为电子产业的基础和核心,集成电路产业的设计工艺将进入22纳米及以下技术代。随着特征尺寸的减小,集成电路中可能出现的缺陷的尺寸也不断减小。缺陷的尺寸一般在一个特征尺寸左右(1×DR),远远小于光学缺陷检测设备使用的照明成像波长。由于缺陷的尺寸在纳米量级,它的散射光的强度相比反射光很弱,缺陷散射信号很容易淹没在反射光和CCD的背景噪音中。检测缺陷散射光相比于反射光的相位变化是光学缺陷检测增大检测精度的主要方向。本发明在光学系统中的Fourier平面上进行光波的相位处理,使用螺旋相位检测技术,从而增加成像的缺陷附近亮度对比,增大缺陷光学信号,降低检测尺寸的极限,增大检测精度。
公开日期2012-11-20 ; 2013-04-03
状态公开
内容类型专利
源URL[http://10.10.10.126/handle/311049/10077]  
专题微电子研究所_微电子仪器设备研发中心
推荐引用方式
GB/T 7714
陈鲁. 一种集成电路缺陷的光学检测方法和装置. CN103018202A. 2011-09-22.
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