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一种冗余金属填充区域版图的处理方法及系统
曹鹤; 陈岚; 张贺
2018-11-02
著作权人中国科学院微电子研究所
专利号CN201610053449.3
国家中国
文献子类发明专利
英文摘要

本发明提供了一种冗余金属填充区域版图的处理方法及系统,该方法包括步骤:确定化学机械平坦化CMP工艺产生工艺缺陷的条件;根据所述CMP工艺产生工艺缺陷的条件确定待填充区域;将所述待填充区域分解为简单几何图形;根据各简单几何图形的几何信息生成待填充版图。由于根据特征级CMP的研磨理论,获得小区域几何结构对CMP缺陷的影响,并通过版图的矩形化处理获得填充区域的几何信息,不会造成因漏填导致无法保证平整度的问题,且便于后续进行冗余金属智能填充。

公开日期2016-07-06
申请日期2016-01-26
语种中文
内容类型专利
源URL[http://159.226.55.107/handle/172511/18654]  
专题微电子研究所_EDA中心
作者单位中国科学院微电子研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
曹鹤,陈岚,张贺. 一种冗余金属填充区域版图的处理方法及系统. CN201610053449.3. 2018-11-02.
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