一种化学机械抛光后芯片表面形貌评测方法及系统

	一种化学机械抛光后芯片表面形貌评测方法及系统
	曹鹤; 陈岚; 马天宇
	2018-04-06
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN201410643976.0
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明公开了一种化学机械抛光后芯片表面形貌评测方法及系统，属于集成电路制造技术领域。该化学机械抛光后芯片表面形貌评测方法，包括：获取芯片在上一工艺阶段的表面形貌参数和研磨液的选择比；获取当前工艺阶段的工艺参数和研磨液的选择比；将芯片的当前表面版图划分为多个连续窗格，分别提取每个窗格的版图特征参数；判断研磨液的选择比是否发生变化，如果是，则根据上一工艺阶段的表面形貌参数、工艺参数、版图特征参数和当前工艺阶段研磨液的选择比，计算芯片在当前工艺阶段的表面形貌参数；根据当前工艺阶段的表面形貌参数对芯片的表面形貌进行评测。该化学机械抛光后芯片表面形貌评测方法，能够精确地对芯片表面形貌进行评测。
公开日期	2016-06-01
申请日期	2014-11-07
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://159.226.55.107/handle/172511/18637]
专题	微电子研究所_EDA中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	曹鹤,陈岚,马天宇. 一种化学机械抛光后芯片表面形貌评测方法及系统. CN201410643976.0. 2018-04-06.