一种化学机械研磨方法

	一种化学机械研磨方法
	陈岚; 曹鹤
	2018-02-02
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN201410643429.2
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本申请公开了一种化学机械研磨方法，包括：根据初始氧化层厚度获取待处理芯片的第一缺陷分布，根据所述第一缺陷分布获取所述待处理芯片缺陷区域的缺陷参数；根据所述缺陷参数确定所述氧化层的优化厚度，以减少CMP缺陷；获取所述待处理芯片在所述优化厚度下的第二缺陷分布，并根据所述第二缺陷分布对待处理芯片进行冗余金属填充；对进行所述冗余金属填充后的待处理芯片进行化学机械研磨。采用这种方法对待处理芯片进行化学机械研磨，既减少了芯片表面的不平坦性，又减少了冗余金属的填充数量，从而大幅减少了冗余金属填充带来的互连线寄生效应。
公开日期	2016-05-18
申请日期	2014-11-07
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://159.226.55.107/handle/172511/18635]
专题	微电子研究所_EDA中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	陈岚,曹鹤. 一种化学机械研磨方法. CN201410643429.2. 2018-02-02.