一种对互连结构进行电容提取的方法

	一种对互连结构进行电容提取的方法
	马天宇; 陈岚; 叶甜春
	2016-12-28
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN201210576410.1
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明提供一种对互连结构进行电容提取的方法，应用于一导体，导体表面包括多个三角形边界元；每一个三角形边界元中设置至少一个变动点，包括：获取各个三角形边界元的变动点坐标；在每个变动点上设置一个独立随机变量和一个非独立随机变量，独立随机变量表示垂直于变动点所在表面的第一方向的变动，非独立随机变量表示第二方向的变动传递到变动点的力；将各个独立随机变量和非独立随机变量加入对应的变动点坐标中，形成一等效导体表面；计算等效导体表面的等效电容。对导体表面使用三角形边界元进行离散，基本上不增加随机变量的数目；能够及时的反应导体表面的变动，电容提取也能够准确反映变动电容的真实特征。
公开日期	2013-04-03
申请日期	2012-12-26
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://159.226.55.106/handle/172511/16409]
专题	微电子研究所_EDA中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	马天宇,陈岚,叶甜春. 一种对互连结构进行电容提取的方法. CN201210576410.1. 2016-12-28.