| 相变存储器的数据写入方法及装置 | |
| 陈岚; 郝晓冉; 孙健 | |
| 2013-03-28 | |
| 著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种相变存储器的数据写入方法及装置，包括：将将要写入相变存储器的目标地址中的一组数据作为源数据，采用多种不同的预处理方式对源数据进行预处理，获得多组备选数据，其中，每一组备选数据的位数与源数据的位数N相等，N为自然数；计算每一组备选数据存储至目标地址的能量损耗值，得到多个能量损耗值；令目标地址存储多个能量损耗值中取值最小的能量损耗值所对应的备选数据，采用上述方法，可以减小相变存储器写入数据时的能量损耗。 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/16398]  |
| 专题 | 微电子研究所_EDA中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈岚,郝晓冉,孙健. 相变存储器的数据写入方法及装置. 2013-03-28. |
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