一种降低LVDS驱动器输出驱动模块的输入负载的电路结构

	一种降低LVDS驱动器输出驱动模块的输入负载的电路结构
	赵建; 卜山; 刘海南; 黑勇; 周玉梅
	2016-01-20
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN201310114204.3
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明公开了一种降低LVDS驱动器输出驱动模块的输入负载的电路结构。其中Vinn和Vinp为LVDS驱动器预驱动模块的输出，用来控制LVDS驱动器输出驱动模块的四个开关MOS管。与常规LVDS驱动器电路相比，该电路特点为：通过正反馈分流机制，在不增加任何功耗的基础上，仅仅通过增加四个开关MOS管便可以有效降低LVDS驱动器输出驱动模块的输入负载电容即预驱动模块的输出负载电容，降低了LVDS驱动器预驱动部分的功耗，因而提高了整体驱动器的性能。
公开日期	2013-06-19
申请日期	2013-04-03
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://159.226.55.106/handle/172511/16361]
专题	微电子研究所_智能感知研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	赵建,卜山,刘海南,等. 一种降低LVDS驱动器输出驱动模块的输入负载的电路结构. CN201310114204.3. 2016-01-20.