一种CMOS集成电路中基准电流源产生电路 | |
姜宇; 郭桂良; 阎跃鹏 | |
2015-04-01 | |
著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
专利号 | CN201110427584.7 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明专利 |
英文摘要 | 本发明提供一种CMOS集成电路中基准电流源产生电路,包括启动模块用于启动电流产生模块,当电流产生模块开始工作后,启动模块退出工作;电流产生模块产生一个与绝对温度成正比的电流;基准电压产生模块由与绝对温度成正比的电流结合具有负温度系数的PN结电压,产生一个与温度无关的基准电压;基准电流产生模块由基准电压与正温度系数的电阻结合产生一个与绝对温度互补的电流,该与绝对温度互补的电流与绝对温度成正比的电流结合产生一个与温度无关的基准电流。本发明提供的电路,利用一个正温度系数的电流和一个负温度系数的电流结合产生与温度无关的基准电流。而现有技术中由基准电压与电阻的比值实现的基准电流却受温度的影响。 |
公开日期 | 2013-06-19 |
申请日期 | 2011-12-19 |
语种 | 中文 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/15414] |
专题 | 微电子研究所_智能感知研发中心 |
作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 姜宇,郭桂良,阎跃鹏. 一种CMOS集成电路中基准电流源产生电路. CN201110427584.7. 2015-04-01. |
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