4H-SiC 沟槽结势垒二极管研制 | |
郭心宇; 汤益丹![]() ![]() ![]() | |
刊名 | 电工电能新技术
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2018-10-10 | |
文献子类 | 期刊论文 |
语种 | 中文 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://159.226.55.107/handle/172511/18998] ![]() |
专题 | 微电子研究所_高频高压器件与集成研发中心 |
作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 郭心宇,汤益丹,董升旭,等. 4H-SiC 沟槽结势垒二极管研制[J]. 电工电能新技术,2018. |
APA | 郭心宇,汤益丹,董升旭,杨成樾,&白云.(2018).4H-SiC 沟槽结势垒二极管研制.电工电能新技术. |
MLA | 郭心宇,et al."4H-SiC 沟槽结势垒二极管研制".电工电能新技术 (2018). |
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