4H-SiC 沟槽结势垒二极管研制

	4H-SiC 沟槽结势垒二极管研制
	郭心宇; 汤益丹; 董升旭; 杨成樾; 白云
刊名	电工电能新技术
	2018-10-10
文献子类	期刊论文
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://159.226.55.107/handle/172511/18998]
专题	微电子研究所_高频高压器件与集成研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	郭心宇,汤益丹,董升旭,等. 4H-SiC 沟槽结势垒二极管研制[J]. 电工电能新技术,2018.
APA	郭心宇,汤益丹,董升旭,杨成樾,&白云.(2018).4H-SiC 沟槽结势垒二极管研制.电工电能新技术.
MLA	郭心宇,et al."4H-SiC 沟槽结势垒二极管研制".电工电能新技术 (2018).