一种获得IGBT器件热阻的系统和方法

	一种获得IGBT器件热阻的系统和方法
	卢烁今; 董少华; 朱阳军; 胡爱斌
	2018-10-26
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN201210525856.1
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明公开了一种获得IGBT器件热阻的系统和方法，属于大功率器件的技术领域。本系统包括建模模块、网格划分模块、施加条件模块、温度分布模块和计算热阻模块；建模模块根据IGBT器件的组件的特性参数建立三维模型；网格划分模块将三维模型进行划分网格；施加条件模块对IGBT器件施加载荷和边界条件；温度分布模块对IGBT器件的三维模型进行温度求解，得到IGBT器件的芯片上表面温度和导热硅脂下表面的温度；计算热阻模块得到IGBT器件的稳态热阻。本发明可以对影响热分布的诸多因素进行计算机模拟,计算结果通过图形化显示直观的温度场分布。
公开日期	2014-06-18
申请日期	2012-12-07
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://159.226.55.107/handle/172511/18682]
专题	微电子研究所_高频高压器件与集成研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	卢烁今,董少华,朱阳军,等. 一种获得IGBT器件热阻的系统和方法. CN201210525856.1. 2018-10-26.