逆导型IGBT的集电极结构及其制备方法

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	逆导型IGBT的集电极结构及其制备方法
	张文亮; 胡爱斌; 朱阳军; 陆江
	2018-04-03
著作权人	中国科学院微电子研究所 ; 上海联星电子有限公司 ; 江苏中科君芯科技有限公司
专利号	CN201210524694.X
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明公开了一种逆导型IGBT的集电极结构，包括：基区、N-锗缺陷层、P+锗集电极区、N+锗短路区及集电极金属层；所述N-锗缺陷层设置在基区底面；所述P+锗集电极区及N+锗短路区并列设置在所述N-锗缺陷层底面与所述集电极金属层之间。本发明还公开了一种逆导型IGBT的集电极结构的制备方法。本发明提供的一种逆导型IGBT的集电极结构及其制备方法，采用锗材料或者锗硅材料做逆导型IGBT背面集电极可以大幅降低发生回跳现象时的集电极-发射极电压、发射极电流密度，从而抑制了器件的回跳现象，还可以在低温下获得较高的杂质激活率，能避免昂贵的离子注入过程，降低导通电压和关断时间。
公开日期	2014-06-11
申请日期	2012-12-07
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://159.226.55.107/handle/172511/18667]
专题	微电子研究所_高频高压器件与集成研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	张文亮,胡爱斌,朱阳军,等. 逆导型IGBT的集电极结构及其制备方法. CN201210524694.X. 2018-04-03.