一种半导体器件参数提取装置及方法

	一种半导体器件参数提取装置及方法
	常虎东; 刘洪刚; 刘桂明; 周佳辉
	2018-03-23
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN201510049824.2
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明公开了一种半导体器件参数提取装置及方法，涉及微电子集成电路技术领域，该半导体器件参数提取方法包括：用于编写电路网表的电路描述步骤；用于布局测试计划以得到完备数据结果的器件测试步骤；用于从测试计划中提取寄生单元参数和本征器件模型参数的参数提取步骤；以及用于将提取出的半导体器件参数导出的参数导出步骤。本发明提高了参数提取的灵活度和模型参数的准确性，并与商用模型结合实现便捷性，具有实际的应用价值。
公开日期	2015-04-29
申请日期	2015-01-30
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://159.226.55.107/handle/172511/18662]
专题	微电子研究所_高频高压器件与集成研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	常虎东,刘洪刚,刘桂明,等. 一种半导体器件参数提取装置及方法. CN201510049824.2. 2018-03-23.