一种栅极电压均匀分布的大电流IGBT版图 | |
赵佳; 吴振兴; 陆江; 田晓丽; 卢烁今; 朱阳军; 左小珍 | |
2012 | |
著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明 |
英文摘要 | 本发明公开了一种栅极电压均匀分布的大电流IGBT版图,属于半导体技术领域,该大电流IGBT版图包括元胞区、终端区、Gatebus、源极压焊点、栅极压焊点,终端区位于元胞区的周围,源极压焊点位于元胞区上,栅极压焊点位于源极压焊点中心,源极压焊点彼此之间和源极压焊点与栅极压焊点之间均有Gatebus;其中,元胞区与终端区衔接部分有一个以上不连续的Gatebus。本发明解决了原有版图设计方案中栅极开启电压分布不均的问题,保证了整个元胞区内元胞的充分开启,电流分布均匀;同时也加快了整体元胞区元胞的开启速度,提升了器件的开启速度。 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/17711] ![]() |
专题 | 微电子研究所_高频高压器件与集成研发中心 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 赵佳,吴振兴,陆江,等. 一种栅极电压均匀分布的大电流IGBT版图. 2012-01-01. |
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