石墨烯器件及其制造方法

	石墨烯器件及其制造方法
	钟汇才; 朱慧珑; 金智; 梁擎擎; 刘新宇
	2016-09-14
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN201110360220.1
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明实施例公开了一种石墨烯器件的制造方法，包括：提供衬底，所述衬底包括绝缘层以及其上的半导体层；在所述半导体层中形成背栅极，以及在背栅极上形成栅介质层、在栅介质层上形成石墨烯层，以及在所述背栅极两侧形成与背栅极电连接的背栅接触层；在所述背栅接触层上形成背栅接触塞，以及在所述背栅极上形成源漏接触塞。通过利用衬底中的半导体层形成背栅极，从而实现自对准地形成背栅结构的石墨烯器件，其制造方法简单，具有同现有CMOS工艺较好的兼容性。
公开日期	2013-05-15
申请日期	2011-11-14
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://159.226.55.106/handle/172511/16748]
专题	微电子研究所_高频高压器件与集成研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	钟汇才,朱慧珑,金智,等. 石墨烯器件及其制造方法. CN201110360220.1. 2016-09-14.