Ultralow temperature epitaxial growth of silicon-germanium thin films on Si(001) using GeF4
Tao K(陶科); Liu XY(刘新宇); Jin Z(金智); Sun Y(孙昀)
刊名Diamond and Related Materials
2016-06-29
文献子类期刊论文
内容类型期刊论文
源URL[http://159.226.55.106/handle/172511/16138]  
专题微电子研究所_高频高压器件与集成研发中心
作者单位中国科学院微电子研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
Tao K,Liu XY,Jin Z,et al. Ultralow temperature epitaxial growth of silicon-germanium thin films on Si(001) using GeF4[J]. Diamond and Related Materials,2016.
APA Tao K,Liu XY,Jin Z,&Sun Y.(2016).Ultralow temperature epitaxial growth of silicon-germanium thin films on Si(001) using GeF4.Diamond and Related Materials.
MLA Tao K,et al."Ultralow temperature epitaxial growth of silicon-germanium thin films on Si(001) using GeF4".Diamond and Related Materials (2016).
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