Ultralow temperature epitaxial growth of silicon-germanium thin films on Si(001) using GeF4 | |
Tao K(陶科)![]() ![]() ![]() ![]() | |
刊名 | Diamond and Related Materials
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2016-06-29 | |
文献子类 | 期刊论文 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/16138] ![]() |
专题 | 微电子研究所_高频高压器件与集成研发中心 |
作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | Tao K,Liu XY,Jin Z,et al. Ultralow temperature epitaxial growth of silicon-germanium thin films on Si(001) using GeF4[J]. Diamond and Related Materials,2016. |
APA | Tao K,Liu XY,Jin Z,&Sun Y.(2016).Ultralow temperature epitaxial growth of silicon-germanium thin films on Si(001) using GeF4.Diamond and Related Materials. |
MLA | Tao K,et al."Ultralow temperature epitaxial growth of silicon-germanium thin films on Si(001) using GeF4".Diamond and Related Materials (2016). |
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