| 一种50nm及以下的硅栅结构的制作方法 | |
| 申华军; 杨成樾; 周静涛; 张慧慧; 刘焕明 | |
| 2010-06-08 | |
| 著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种50nm及以下的硅栅结构的制作方法，该方法先制作出100nm左右的粗硅栅，然后再经过二次处理形成50nm及以下尺寸的硅栅结构。该方法工艺简单，降低了细光栅制作过程中对光刻工艺的难度要求，解决了器件可重复性制作问题，提高了器件的成品率。 |
| 状态 | 公开 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/15994]  |
| 专题 | 微电子研究所_高频高压器件与集成研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 申华军,杨成樾,周静涛,等. 一种50nm及以下的硅栅结构的制作方法. 2010-06-08. |
| 个性服务 |
| 查看访问统计 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论