一种50nm及以下的硅栅结构的制作方法 | |
申华军; 杨成樾; 周静涛; 张慧慧; 刘焕明 | |
2010-06-08 | |
著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明 |
英文摘要 | 本发明公开了一种50nm及以下的硅栅结构的制作方法,该方法先制作出100nm左右的粗硅栅,然后再经过二次处理形成50nm及以下尺寸的硅栅结构。该方法工艺简单,降低了细光栅制作过程中对光刻工艺的难度要求,解决了器件可重复性制作问题,提高了器件的成品率。 |
状态 | 公开 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/15994] ![]() |
专题 | 微电子研究所_高频高压器件与集成研发中心 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 申华军,杨成樾,周静涛,等. 一种50nm及以下的硅栅结构的制作方法. 2010-06-08. |
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