一种硅基锗外延结构及其制备方法

	一种硅基锗外延结构及其制备方法
	郭浩; 王盛凯; 韩乐; 陈洪钧; 张雄; 常虎东; 薛百清; 刘洪刚
	2015-11-18
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN201210576570.6
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明公开了一种基于硅基锗外延的非波导近红外探测器及其制备方法，该非波导近红外探测器包括：n型Si衬底；于该n型Si衬底上沉积的SiO2层中制备的空气孔型或介质柱型光子晶体；在该光子晶体上形成的Ge基外延薄膜；在该Ge基外延薄膜上形成的P型Si；在该P型Si上形成的减反层；于刻蚀该减反层的外侧直至该n型Si衬底中而形成的台阶上制备的n型Si接触电极Al；于刻蚀该减反层的内侧直至该P型Si上表面而形成的台阶上制备的P型Si接触电极；以及在被刻蚀后的该减反层上形成的钝化层。利用本发明，解决了现有近红外探测器中二维光子晶体光子禁带效应的应用，以及Ge与Si晶格失配所产生的应力的释放等问题。
公开日期	2013-04-03
申请日期	2012-12-26
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/15372]
专题	微电子研究所_高频高压器件与集成研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	郭浩,王盛凯,韩乐,等. 一种硅基锗外延结构及其制备方法. CN201210576570.6. 2015-11-18.