一种制备晶体硅双发射极背结背接触太阳能电池的方法

	一种制备晶体硅双发射极背结背接触太阳能电池的方法
	陈晨; 张巍; 张代生; 金智; 刘新宇; 贾锐; 邢钊
	2015-08-05
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN201310360950.0
国家	中国
文献子类	发明专利
公开日期	2016-06-20
申请日期	2013-08-19
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/15366]
专题	微电子研究所_高频高压器件与集成研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	陈晨,张巍,张代生,等. 一种制备晶体硅双发射极背结背接触太阳能电池的方法. CN201310360950.0. 2015-08-05.