InGaSb Buried-Channel pMOSFET Fabricated by Using Digital Etch Technique | |
Sun B(孙兵); Ceng ZH(曾振华); Chang HD(常虎东); Wang SK(王盛凯); Liu HG(刘洪刚) | |
2014-09-16 | |
页码 | 124/2 |
会议录 | Extended Abstracts of the 2014 International Conference on Solid State Devices and Materials, Tsukuba, 2014
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内容类型 | 会议论文 |
源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/12846] ![]() |
专题 | 微电子研究所_高频高压器件与集成研发中心 |
通讯作者 | Sun B(孙兵) |
推荐引用方式 GB/T 7714 | Sun B,Ceng ZH,Chang HD,et al. InGaSb Buried-Channel pMOSFET Fabricated by Using Digital Etch Technique[C]. 见:. |
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