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	InGaSb Buried-Channel pMOSFET Fabricated by Using Digital Etch Technique
	Sun B(孙兵); Ceng ZH(曾振华); Chang HD(常虎东); Wang SK(王盛凯); Liu HG(刘洪刚)
	2014-09-16
页码	124/2
会议录	Extended Abstracts of the 2014 International Conference on Solid State Devices and Materials, Tsukuba, 2014
内容类型	会议论文
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/12846]
专题	微电子研究所_高频高压器件与集成研发中心
通讯作者	Sun B(孙兵)
推荐引用方式 GB/T 7714	Sun B,Ceng ZH,Chang HD,et al. InGaSb Buried-Channel pMOSFET Fabricated by Using Digital Etch Technique[C]. 见:.

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