一种多偏置下场效应晶体管栅漏电容的测试方法

	一种多偏置下场效应晶体管栅漏电容的测试方法
	庞磊; 王亮; 蒲颜; 袁婷婷; 刘新宇; 魏珂; 刘果果; 欧阳思华
	2011-05-25
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN200910238767.7
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明公开了一种多偏置下场效应晶体管栅漏电容的测试方法，该方法采用HP6624A的一路电源提供Vsg端口的电压，手动调节电压对Vsg端口进行扫描，同时采用HP4284A内置电源提供Vdg端口电压的自动扫描，获得多偏置点下FET的Cgd(Vsg，Vdg)曲线，最后通过相对电压的计算得到Vds的电压，获得Cgd(Vgs，Vds)曲线。利用本发明，多偏置下FET的Cgd(Vgs，Vds)测量对FET的工艺改善和物理特性研究及器件模型的建立都起到很大的作用。
公开日期	2011-05-25
申请日期	2009-11-24
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/11599]
专题	微电子研究所_高频高压器件与集成研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	庞磊,王亮,蒲颜,等. 一种多偏置下场效应晶体管栅漏电容的测试方法. CN200910238767.7. 2011-05-25.