一种GaAs HBT双边沿触发流水线累加器

	一种GaAs HBT双边沿触发流水线累加器
	陈高鹏; 武锦; 金智; 吴旦昱; 刘新宇
	2012-04-18
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN200910091373.3
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明公开了一种GaAs?HBT双边沿触发流水线累加器结构，该结构为一由N级1-bit全加器并行构成的流水线结构，N为大于2的自然数，每一级1-bit全加器完成累加运算之后向外部输出累加之和，并且向下一级1-bit全加器输出进位信号。利用本发明，在每个时钟周期内可以进行两次累加运算，从而实际上将累加器的速度提升为时钟频率两倍，大幅提升了累加器的速度。
公开日期	2011-03-30
申请日期	2009-08-19
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/11597]
专题	微电子研究所_高频高压器件与集成研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	陈高鹏,武锦,金智,等. 一种GaAs HBT双边沿触发流水线累加器. CN200910091373.3. 2012-04-18.