本发明提出了一种基于DHBT工艺的，适于应用在55GHz-110GHz的有源亚谐波单片集成混频器电路结构。 此电路结构首先通过内部的本振二倍频电路产生在55GHz和110GHz之间的本振二次谐波信号，然后此信号与射频信号混频生成介于DC和5GHz之间的中频信号。此电路结构在射频输入端通过一支级联放大器来达到射频端口和其他端口之间的有效隔离。另外，此电路结构在中频输出端通过射极跟随器缓冲输出，一方面改善三阶交调性能，另一方面改善中频端口的匹配性能。同时本发明还提出了一种四端口的十字线形状电容，当应用在本发明中时，很好的解决了多信号通路同时汇集在同一个直流隔离点时，版图设计上无法容纳很多信号线的困难。 本发明最适合的是DHBT工艺。当应用DHBT工艺时，射频端口的线性度，以及本振的倍频增益都能达到最优，但使用其它工艺或器件时，亦能实现功能并达到较好的性能。