具有自增益的日盲型AlGaN紫外探测器及其制备方法 | |
白云![]() ![]() ![]() | |
2012-12-05 | |
著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
专利号 | CN200910306624.5 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明专利 |
英文摘要 | 本发明涉及一种具有自增益的日盲型AlGaN紫外探测器及其制备方法,属于半导体器件 技术领域。所述探测器包括蓝宝石衬底,以及在所述蓝宝石衬底上依次排列生长的AlN缓冲 层、n型Al0.65Ga0.35N层、i型Al0.45Ga0.55N层、p型Al0.45Ga0.55N层和n型Al0.45Ga0.55N层,在所述 n型Al0.45Ga0.55N层上设置有第一上电极,在所述n型Al0.65Ga0.35N层上设置有第二上电极。本 发明具有自增益的日盲型AlGaN紫外探测器能够对微弱的光电流信号进行放大,从而实现信 号增益,提高器件的响应率。 |
公开日期 | 2010-02-03 |
申请日期 | 2009-09-07 |
语种 | 中文 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/8462] ![]() |
专题 | 微电子研究所_高频高压器件与集成研发中心 |
作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 白云,麻芃,刘键,等. 具有自增益的日盲型AlGaN紫外探测器及其制备方法. CN200910306624.5. 2012-12-05. |
个性服务 |
查看访问统计 |
相关权益政策 |
暂无数据 |
收藏/分享 |
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。
修改评论