具有自增益的日盲型AlGaN紫外探测器及其制备方法

	具有自增益的日盲型AlGaN紫外探测器及其制备方法
	白云; 麻芃; 刘键; 朱杰; 饶志鹏; 刘新宇
	2012-12-05
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN200910306624.5
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明涉及一种具有自增益的日盲型AlGaN紫外探测器及其制备方法，属于半导体器件技术领域。所述探测器包括蓝宝石衬底，以及在所述蓝宝石衬底上依次排列生长的AlN缓冲层、n型Al_0.65Ga_0.35N层、i型Al_0.45Ga_0.55N层、p型Al_0.45Ga_0.55N层和n型Al_0.45Ga_0.55N层，在所述 n型Al_0.45Ga_0.55N层上设置有第一上电极，在所述n型Al_0.65Ga_0.35N层上设置有第二上电极。本发明具有自增益的日盲型AlGaN紫外探测器能够对微弱的光电流信号进行放大，从而实现信号增益，提高器件的响应率。
公开日期	2010-02-03
申请日期	2009-09-07
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/8462]
专题	微电子研究所_高频高压器件与集成研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	白云,麻芃,刘键,等. 具有自增益的日盲型AlGaN紫外探测器及其制备方法. CN200910306624.5. 2012-12-05.