一种GaN HEMT器件的肖特基参数提取方法 | |
刘新宇![]() ![]() ![]() | |
2011-07-06 | |
著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
专利号 | CN200910092439.0 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明专利 |
英文摘要 | 本发明涉及一种GaN HEMT器件的肖特基参数提取方法,属于半导体器 件技术领域。所述方法包括以下步骤:分析所述肖特基正向I-V特性曲线中 的第三段曲线对应的物理过程,所述第三段曲线对应了电压全部施加在所述 第一二极管上产生电流的物理过程,此时电压不再施加在所述第二二极管 上,所述第三段曲线包括一段线性区;对所述第三段曲线进行线性拟合得到 斜率为k3的直线,根据所述直线的斜率k3,求出第一二极管的肖特基接触的 理想因子n1和实际势垒高度φ1。本发明的参数提取方法是针对GaN HEMT器件 高温存储后肖特基正向I-V特性曲线出现凹进的新现象而提出的,应用所述 方法提取的参数值与实际值基本吻合。 |
公开日期 | 2010-02-24 |
申请日期 | 2009-09-08 |
语种 | 中文 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/8458] ![]() |
专题 | 微电子研究所_高频高压器件与集成研发中心 |
作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘新宇,赵妙,王鑫华. 一种GaN HEMT器件的肖特基参数提取方法. CN200910092439.0. 2011-07-06. |
个性服务 |
查看访问统计 |
相关权益政策 |
暂无数据 |
收藏/分享 |
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。
修改评论