一种GaN HEMT器件的肖特基参数提取方法

	一种GaN HEMT器件的肖特基参数提取方法
	刘新宇; 赵妙; 王鑫华
	2011-07-06
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN200910092439.0
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明涉及一种GaN HEMT器件的肖特基参数提取方法，属于半导体器件技术领域。所述方法包括以下步骤：分析所述肖特基正向I-V特性曲线中的第三段曲线对应的物理过程，所述第三段曲线对应了电压全部施加在所述第一二极管上产生电流的物理过程，此时电压不再施加在所述第二二极管上，所述第三段曲线包括一段线性区；对所述第三段曲线进行线性拟合得到斜率为k3的直线，根据所述直线的斜率k3，求出第一二极管的肖特基接触的理想因子n1和实际势垒高度φ1。本发明的参数提取方法是针对GaN HEMT器件高温存储后肖特基正向I-V特性曲线出现凹进的新现象而提出的，应用所述方法提取的参数值与实际值基本吻合。
公开日期	2010-02-24
申请日期	2009-09-08
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/8458]
专题	微电子研究所_高频高压器件与集成研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	刘新宇,赵妙,王鑫华. 一种GaN HEMT器件的肖特基参数提取方法. CN200910092439.0. 2011-07-06.