一种抗读干扰的阻变存储器读方法 | |
张锋; 项中元 | |
2018-05-08 | |
著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
专利号 | CN201510188989.8 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明专利 |
英文摘要 | 本发明公开了一种抗读干扰的阻变存储器读方法,包括:判断读使能是否有效,如果无效继续等待读使能有效;读使能有效后对读地址进行译码,映射到相应的阻变存储器的字;在读地址选中的阻变存储器的字的各个阻变单元上加相应的正向读电压Vr,持续时间T;将读出的数据写入读出寄存器buffer;判断读出的数据中阻变单元存储的数据是否存在“0”,如果存在“0”则执行下一步,否则返回继续判断读使能是否有效;在后台对阻变单元存储的数据为“0”的阻变单元进行一次ReRead操作;完成以上操作后返回继续判断读使能是否有效。本发明通过在阻变存储器的读过程中添加了后台ReRead过程,解决了由于读干扰导致的数据翻转失效问题,提高了阻变存储器数据存储的可靠性。 |
公开日期 | 2015-07-08 |
申请日期 | 2015-04-21 |
语种 | 中文 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://159.226.55.107/handle/172511/18623] |
专题 | 微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室 |
作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 张锋,项中元. 一种抗读干扰的阻变存储器读方法. CN201510188989.8. 2018-05-08. |
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