一种制备高存储密度多值纳米晶存储器的方法

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	一种制备高存储密度多值纳米晶存储器的方法
	刘明; 孙海涛; 刘琦; 吕杭炳; 龙世兵
	2017-02-08
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN201410222013.3
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明公开了一种制备高存储密度多值纳米晶存储器的方法，包括：预备硅衬底；在表面形成有氧化硅的硅衬底上生长下电极金属；在下电极金属上旋涂一层光刻胶，热板烘烤，并采用掩膜对光刻胶进行曝光，然后显影，在光刻胶层形成通孔阵列，在通孔中露出光刻胶层下的下电极金属；在通孔中沉积氧化物层；在通孔中蒸发上电极金属；剥离光刻胶及光刻胶上的氧化物层和上电极金属，露出下电极金属，得到表面具有凸起阵列的器件；在凸起的上电极金属上加正电压，将下电极金属接地，在电场激励下使得在凸起的氧化物层内部形成金属纳米颗粒的链条，得到高存储密度多值纳米晶存储器。利用本发明，解决了目前制备纳米晶存储器流程复杂、不可控、成本高等问题。
公开日期	2014-08-06
申请日期	2014-05-23
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://159.226.55.106/handle/172511/17932]
专题	微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	刘明,孙海涛,刘琦,等. 一种制备高存储密度多值纳米晶存储器的方法. CN201410222013.3. 2017-02-08.