一种制备高存储密度多值纳米晶存储器的方法 | |
刘明![]() ![]() ![]() ![]() | |
2017-02-08 | |
著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
专利号 | CN201410222013.3 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明专利 |
英文摘要 | 本发明公开了一种制备高存储密度多值纳米晶存储器的方法,包括:预备硅衬底;在表面形成有氧化硅的硅衬底上生长下电极金属;在下电极金属上旋涂一层光刻胶,热板烘烤,并采用掩膜对光刻胶进行曝光,然后显影,在光刻胶层形成通孔阵列,在通孔中露出光刻胶层下的下电极金属;在通孔中沉积氧化物层;在通孔中蒸发上电极金属;剥离光刻胶及光刻胶上的氧化物层和上电极金属,露出下电极金属,得到表面具有凸起阵列的器件;在凸起的上电极金属上加正电压,将下电极金属接地,在电场激励下使得在凸起的氧化物层内部形成金属纳米颗粒的链条,得到高存储密度多值纳米晶存储器。利用本发明,解决了目前制备纳米晶存储器流程复杂、不可控、成本高等问题。 |
公开日期 | 2014-08-06 |
申请日期 | 2014-05-23 |
语种 | 中文 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/17932] ![]() |
专题 | 微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室 |
作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘明,孙海涛,刘琦,等. 一种制备高存储密度多值纳米晶存储器的方法. CN201410222013.3. 2017-02-08. |
个性服务 |
查看访问统计 |
相关权益政策 |
暂无数据 |
收藏/分享 |
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。
修改评论