具有整流特性的阻变存储器器件及其制作法

	具有整流特性的阻变存储器器件及其制作法
	刘明; 李颖弢; 龙世兵; 刘琦; 吕杭炳; 杨晓一; 孙鹏霄
	2016-01-27
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN201210284760.0
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明涉及微电子技术以及存储器器件技术领域，公开了一种具有自整流特性的阻变存储器器件及其制作方法。该阻变存储器器件结构包括：下电极、上电极、以及包含在下电极与上电极之间的阻变存储层。本发明提出的阻变存储器器件结构与制备工艺简单、制造成本低，并且在低阻态时具有整流特性，能够有效抑制读串扰问题。
公开日期	2014-02-12
申请日期	2012-08-10
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://159.226.55.106/handle/172511/16576]
专题	微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	刘明,李颖弢,龙世兵,等. 具有整流特性的阻变存储器器件及其制作法. CN201210284760.0. 2016-01-27.