一种面向三维存储器的零温度系数参考电压产生电路

	一种面向三维存储器的零温度系数参考电压产生电路
	李婷; 霍宗亮; 刘明; 王瑜; 曹华敏; 刘璟
	2016-02-10
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN201410314388.2
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明公开了一种面向三维存储器的零温度系数参考电压产生电路，该零温度系数参考电压产生电路包括依次连接的启动电路、电流产生电路和电压产生电路，其中：启动电路，用以确保该零温度系数参考电压产生电路在上电之后能够正常工作；电流产生电路，用以产生负温度系数的电流，该负温度系数的电流与电源电压无关；电压产生电路，用以根据该负温度系数的电流产生零温度系数的参考电压。本发明提供的零温度系数参考电压产生电路，结构简单，具有实现方式简易、功耗低、不受电源电压影响、零温度系数的优点。
公开日期	2014-09-17
申请日期	2014-07-03
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://159.226.55.106/handle/172511/16346]
专题	微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	李婷,霍宗亮,刘明,等. 一种面向三维存储器的零温度系数参考电压产生电路. CN201410314388.2. 2016-02-10.