The Statistics of Set Time of Oxide-based Resistive Switching Memory | |
Zhang MY(张美芸); Wang GM(王国明); Yu ZA(余兆安)![]() ![]() ![]() ![]() ![]() | |
2016-09-12 | |
文献子类 | 会议论文 |
内容类型 | 会议论文 |
源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/16343] ![]() |
专题 | 微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室 |
作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | Zhang MY,Wang GM,Yu ZA,et al. The Statistics of Set Time of Oxide-based Resistive Switching Memory[C]. 见:. |
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