复合存储单元与存储器

	复合存储单元与存储器
	霍宗亮; 谢常青; 刘璟; 王琴; 李冬梅; 张满红; 龙世兵; 刘明; 许中广
	2015-08-19
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN201110046327.9
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明公开了一种复合存储单元和存储器。该复合存储单元包括：浮栅子单元；以及形成于该浮栅子单元的漏极之上的电阻随机存储器RRAM子单元；其中，RRAM子单元作为存储模块时，浮栅子单元作为选通模块；而RRAM子单元处于低阻态时，浮栅子单元作为存储模块。本发明综合利用了浮栅存储方式的高密度、高可靠性、串扰小、耐受性高等优点和RRAM存储方式的低功耗、高速度、结构简单等优点。
公开日期	2012-08-29
申请日期	2011-02-25
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://159.226.55.106/handle/172511/16032]
专题	微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	霍宗亮,谢常青,刘璟,等. 复合存储单元与存储器. CN201110046327.9. 2015-08-19.