一种制作半导体薄膜的方法

	一种制作半导体薄膜的方法
	侯成诚; 刘明; 汪幸; 李冬梅; 谢常青; 霍宗亮; 闫学锋; 周文
	2013-08-07
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN201010247730.3
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明公开了一种制作半导体薄膜的方法，该方法是在声表面波气体传感器的制造过程中，在双延迟线型振荡器的一条延迟线上滴涂碳纳米管与酞菁锌的混合溶液，并真空烘干而形成敏感膜的。因为通过将酞菁锌作为敏感材料去尝试制作敏感膜，使得常温下使用酞菁材料去检测NO2气体变为可能，而且掺杂的碳纳米管/酞菁锌传感器与纯的酞菁锌传感器相比，灵敏度和检测质量也会有一定的提高。
公开日期	2012-03-14
申请日期	2010-08-06
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://159.226.55.106/handle/172511/15959]
专题	微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	侯成诚,刘明,汪幸,等. 一种制作半导体薄膜的方法. CN201010247730.3. 2013-08-07.