双栅电荷俘获存储器及其制作方法

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	双栅电荷俘获存储器及其制作方法
	刘璟; 王永; 谢常青; 刘明; 王晨杰; 霍宗亮; 张满红
	2015-06-17
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN201210026182.0
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明公开了一种基于多晶硅纳米线场效应晶体管的双栅电荷俘获存储器及其制作方法。该双栅电荷俘获存储器具有两个多晶硅栅极，包括：半导体衬底；形成于该半导体衬底之上的第一介质缓冲层；形成于该第一介质缓冲层之上的第二介质缓冲层；形成于该第二介质缓冲层之上的多晶硅底栅；在该多晶硅底栅两侧对称分布的两个纳米线沟道；形成于该多晶硅底栅与该两个纳米线沟道之间的两个电荷俘获存储器介质层；形成于该两个纳米线沟道外侧的两个顶栅介质层；形成于该多晶硅底栅、该电荷俘获存储器介质层、该纳米线沟道及该顶栅介质层之上的硬质掩蔽层；形成于该硬质掩蔽层及该电荷俘获存储器介质层之上的多晶硅顶栅；以及跨越两个纳米线沟道的源区和漏区。
公开日期	2013-08-14
申请日期	2012-02-07
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://159.226.55.106/handle/172511/15500]
专题	微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	刘璟,王永,谢常青,等. 双栅电荷俘获存储器及其制作方法. CN201210026182.0. 2015-06-17.