阻变存储器的制造方法

	阻变存储器的制造方法
	胡媛; 张满红; 霍宗亮; 吕杭炳; 刘琦; 谢常青; 赵盛杰; 刘明
	2015-07-22
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN201210058676.7
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	一种阻变存储器的制造方法，所述方法包括：形成第一电极；在所述第一电极上形成阻变功能层，其中，所述阻变功能层包括至少一层第一二元金属氧化物以及至少一层第二二元金属氧化物，且所述第一二元金属氧化物与第二二元金属氧化物交替层叠；进行热退火工艺；在所述阻变功能层上形成第二电极。不同的金属氧化物的金属离子存在差异，通过退火工艺，在两种金属氧化物的界面处发生扩散，形成复合的介电中间物，形成结构缺陷，从而优化阻变功能层的电学特性，提高转变参数的均匀性。
公开日期	2013-09-18
申请日期	2012-03-07
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://159.226.55.106/handle/172511/15499]
专题	微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	胡媛,张满红,霍宗亮,等. 阻变存储器的制造方法. CN201210058676.7. 2015-07-22.